手机容量达TB不是梦？镁光发布全球首款3D闪存芯片

3D闪存技术并不罕见，但现在镁光第一次把它带进了移动设备领域。

总有一天，智能手机的内存容量终将达到现在PC的水平。

近日在美国加州圣克拉拉举行的闪存峰会（Flash Memory Summit）上，全球最大半导体储存及影像产品制造商之一的镁光（Micron）正式公布了第一款3D-NAND闪存芯片。

目前市面上普遍使用的手机芯片为2D-NAND，而镁光所发布的这种3D-NAND闪存芯片相比于前者拥有更大的存储密度，换句话说，就是在体积相同的情况下拥有了更大的存储空间。

除了存储空间变大以外，3D-NAND的存储单元排列方式也发生了变化。3D-NAND采用垂直的方式立体排布存储单元，而2D-NAND则采用了水平式排布存储单元，因此镁光所发布的这款3D-NAND闪存芯片在通讯速度上也得到了提升。

据悉镁光这款3D闪存芯片的容量为32GB，是全球首个基于UFS2.1存储标准的手机3D-NAND解决方案。 而这种新的UFS2.1存储技术其实就是HS-G3，其读取速度有1.5GB/s，写入速度接近500MB/s，为目前UFS 2.0标准的2倍，但目前市面上还没有智能手机采用这种存储技术标准。

镁光表示，随着VR和流媒体视频的兴起，未来用户对于智能手机的内部存储容量的需求将会逐步扩大在未来几年时间里，智能手机的内存空间将达到如今PC的水平，并有望在2020年达到1TB，不过他们并未展示出其芯片产品未来的存储容量发展路线图。

据悉镁光这款存储容量为32GB的3D-NAND芯片将在明年下半年开始出货。

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