三星正开发新型封装技术，手机也能用上HBM？

受AI热潮的推动，HBM在这几年实现快速发展，迭代速度显著加快，成为市场上最受追捧的DRAM技术之一。 去年，SK海力士就凭借向...

受AI热潮的推动，HBM在这几年实现快速发展，迭代速度显著加快，成为市场上最受追捧的DRAM技术之一。

去年，SK海力士就凭借向英伟达大规模供应HBM3和HBM3E，一度超越三星领跑DRAM市场，这也促使三星加快了相关技术研发的步伐。

据韩媒ETnews等报道，三星电子正在开发一种独特的封装技术，目的是让智能手机和平板电脑等移动设备也能够使用HBM芯片，从而让这些移动设备也能运行本地AI计算平台。

目前，HBM主要应用于服务器和数据中心领域，而移动设备使用的DRAM普遍采用铜线键合或引线键合技术，这种技术使得I/O引脚数量局限在128至256个，不仅存在较大的信号损耗，散热效率也不足，难以满足端侧AI对高带宽、低功耗的需求。

针对这一瓶颈，三星计划采用超高纵横比铜柱，结合扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术，同时对现有的垂直铜柱堆栈（VCS）技术进行改进，最终达到适配HBM内存的目的。在VCS技术上，三星已经实现了关键创新，将铜柱的纵横比从现有的3-5:1大幅提升至15:1–20:1，因此可以在有限的移动设备空间内塞入更多铜线，显著提升带宽。

目前，该封装方案此前已应用于Exynos 2600等系统级芯片，能有效增强散热能力和持续工作负载性能，这也给三星一点信心。

不过，纵横比的提升会导致铜柱直径缩小，一旦直径低于10微米，铜柱就可能出现弯曲甚至断裂的情况，影响结构可靠性，所以FOWLP技术的作用就是通过对芯片进行模塑处理，将布线向外部延伸，从而起到了支撑铜柱、防止变形的作用，同时引脚数量也能相应增加。

经测算，这套方案可使带宽提升15%-30%，还能实现超过1.5倍的内存堆叠数量，所以该封装技术也被命名为“多层堆叠FOWLP”。

目前，这项移动HBM封装技术仍处于研发阶段，具体的商用时间尚未明确。

从时间表推断，该技术有望在Exynos 2800或Exynos 2900上试用，其中Exynos 2800已经三星自研GPU，因此使用HBM内存的可能性非常大。不过有业内人士表示，由于服务器、数据中心等领域对HBM的需求短期内仍将保持强劲，所以移动HBM的研发和量产速度可能会略滞后于计划。另外，成本问题也是HBM落地移动终端的门槛。

当前存储器价格偏高，其他智能手机厂商也会选择观望，待价格稳定后才会评估其经济可行性。因此，未来数年内，移动设备提升本地AI能力的主要方式仍将集中在芯片算力优化和存储系统升级上。

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